太赫兹晶体ZnTe

作为一种典型的LI-VI族化合物半导体，ZnTe（锌碲）单晶展现出了出色的非线性光学性能和电光性质。

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太赫兹晶体ZnTe

作为一种典型的LI-VI族化合物半导体，ZnTe（锌碲）单晶展现出了出色的非线性光学性能和电光性质。它的非线性光学系数和电光系数均较高，这使得ZnTe单晶能够有效地与波长约为800nm的飞秒激光进行相位匹配。这种相位匹配是实现高效太赫兹波生成和探测的关键。

特别值得注意的是，ZnTe单晶能够在0.1-3THz的宽波段范围内有效地辐射和探测太赫兹脉冲。这一特性使得其在多个领域展现出巨大的应用潜力。例如，在商业太赫兹系统中，ZnTe单晶的这些特性可用于提高系统的性能和灵敏度。在强场太赫兹产生领域，它可以用来生成强大的太赫兹脉冲，这对于探索新的物理现象和开发新技术至关重要。

此外，ZnTe单晶在太赫兹成像技术中也具有重要应用。由于其能够在宽波段范围内进行有效的太赫兹波探测，它可以用于开发高分辨率的太赫兹成像系统，这对于安全检查、生物医学成像以及材料科学研究等多个领域都是非常重要的。

最后，在宽谱太赫兹探测方面，ZnTe单晶的应用也十分广泛。其宽波段的探测能力使得它可以用于环境监测、化学分析、天文观测等多种场合，特别是在那些需要高灵敏度和宽频带探测的应用中。

综上所述，ZnTe单晶作为一种多功能的半导体材料，在未来的科学研究和工业应用中都有着极为广阔的应用前景。

主要特点/优势：太赫兹晶体ZnTe

应用于太赫兹光谱检测和成像，是最广泛用于太赫兹时域光谱系统产生和探测太赫兹的电光晶体；
应用于纯绿光发光二极管LED, 激光二极管；
作为CdTe太阳能电池的背接触层，CZT薄膜和衬底的缓冲层，和一些其他衬底。

规格参数

基本特征
晶体结构	立方闪锌矿结构
晶格参数	6.106 A
空间群	F-43m
电光系数	4.04 pm·V¹
二阶非线性系数	1.6×10⁷ esu
折射率	2.7(800 nm)/3.14(300 um)
探测范围	0.1-3THz

产品应用：

太赫兹时域光谱仪和无损检测系统是一种先进的技术，专门用于分析和检测特种涂层和多种复合材料的结构和完整性。这些系统利用太赫兹波的独特特性，能够穿透非导电材料，如航天器的热防护结构、发动机的热障涂层、以及战机的隐身涂层，提供关键的内部信息而不损害被测物体。

太赫兹波位于微波和红外波段之间，具有非常好的穿透能力和低能量特性，因此非常适合用于复杂材料和系统的无损检测。太赫兹时域光谱仪可以提供关于材料内部结构的详细信息，包括缺陷、裂纹、分层、水分含量和密度变化等。这对于评估航天器、飞机和其他高性能系统中使用的特殊材料的完整性至关重要。

此外，这种技术在检测过程中不仅速度快，而且非侵入性，不会对被测材料造成物理损伤。这使得太赫兹时域光谱仪和无损检测系统成为保障关键高技术产品质量和安全的重要工具，尤其在航空航天、国防和汽车行业中有着广泛的应用前景。