高功率下高重复频率Q开关与脉冲抽取用BBO电光调制器
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产品描述
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BBO普克尔盒
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BBO（β-钡硼酸盐）电光调制器凭借其出色的光学性能和卓越的功率承受能力，成为高重复频率Q开关和脉冲抽取系统中的理想选择。该产品具备优异的透过率（>98.5%@1064nm）和宽广的工作波段（220–2000nm），可广泛适用于多种激光波长和系统需求。 标准产品提供2至8mm多种通光口径，并可扩展至12mm。典型晶体尺寸为3×3×20mm时，其半波电压约为7kV，消光比优于30dB，具有稳定可靠的电光调制性能。产品电容低至5–10pF，能够快速响应高速电信号，适用于数十千赫兹甚至兆赫兹级别的调制应用。 |
BBO晶体具有极高的损伤阈值（>1GW/cm²@1064nm, 10ns），即使在高能量密度激光系统中也能稳定运行。针对更高功率或更高重复频率场景，提供水冷版本，进一步提升散热能力与系统稳定性。
无论是科研激光系统还是工业超快激光应用，BBO电光调制器都能以其高对比度、高稳定性和高可靠性，为用户带来卓越的调制性能。
| 主要特点/优势： |
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| 应用领域： |
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| 规格参数： |
| 参数 | 数值 |
| 透过率（如1064nm） | >98.5% |
| 可用口径 | 2、3、4、5、6、7、8mm（标准）* |
| 半波电压（@1064nm） | 约7kV（晶体尺寸3x3x20mm）** |
| 消光比 | 典型 >30dB |
| 电容 | 典型 5~10pF |
| 损伤阈值（@1064nm, 10ns） | >1GW/cm² |
| 可用波长范围 | 220nm – 2000nm *** |
备注：
最大口径可达12mm，但工作电压受限。例如，即使在四分之一波长操作下，也可能需采用双晶体结构。
** 对于不同尺寸的晶体，电压与口径成正比，与长度成反比。
*** 对于更长波长，可能因电压限制而需减少口径。
水冷版本
水冷结构使BBO电光调制器的性能提升到更高水平。使用水冷的两个主要原因是：
更高的重复频率：
BBO的介电损耗通常高于RTP，而其较高的工作电压又导致更多电能被注入晶体。在1MHz及以上频率下，我们采用了专门设计的增强型热管理封装，可在高频下保持与低频相同的对比性能。适当的水冷可以在超过1MHz时进一步增强性能。
更高的光功率处理能力：
标准封装可承受100W甚至更高的平均功率（视应用而定）。若功率进一步提升，则强烈建议对晶体进行水冷。我们可提供从3mm至8mm口径的单晶体、双晶体甚至三晶体结构，并可扩展至更大尺寸。
水冷封装能够提供晶体的对称散热，并冷却光学通光口，确保在高功率下保持性能稳定。
